近日，国家重点研发计划“光电子与微电子器件及集成”重点专项2018年度项目立项名单公示结束，我校微电子研究中心主任骆建军教授主持的“新型嵌入式阻变存储器（RRAM）研究”项目获得立项，这是我校作为主持单位获得的首个千万级国家重点研发项目。项目预算近4000万元，获得1700余万中央财政经费支持。

　　国家重点研发计划由原国家重点基础研究发展计划（973计划）、国家高技术研究发展计划（863计划）、国家科技支撑计划、国际科技合作与交流专项、产业技术研究与开发基金和公益性行业科研专项等整合而成，是针对事关国计民生的重大社会公益性研究，以及事关产业核心竞争力、整体自主创新能力和国家安全的战略性、基础性、前瞻性重大科学问题、重大共性关键技术和产品，为国民经济和社会发展主要领域提供持续性的支撑和引领。

图为微电子研究中心开发成功的我国第一颗固态硬盘控制器芯片的显微照片

　　“新型嵌入式阻变存储器（RRAM）研究”由我校微电子研究中心骆建军教授团队牵头组织，中科院微电子所积极支持，联合我校产学研合作基地杭州华澜微电子有限公司、中电58所、西安电子科技大学、复旦大学、无锡中微高科电子有限公司、无锡中微腾芯电子有限公司共同参与，拟在新型半导体存储器件——阻变存储器（RRAM）方面取得突破性进展，并打通从实验室到产业化的关键环节，实现产业化应用。

　　当前，嵌入式处理器（CPU）普遍使用NOR FLASH(或型闪存)作为存放程序代码和数据的仓库，但在工艺进步到40nm(纳米)、28nm甚至14nm以下的情况下，FLASH无法兼顾和CPU逻辑电路工艺兼容而且可靠地进一步缩小尺寸，全世界都在研究新型存储器件，阻变存储器(RRAM)就是其中一种。

　　RRAM利用特种材料的电阻记忆特性来实现数据保存，国外已开始工业化批量生产的尝试，而国内尚处于实验室阶段。中科院刘明院士团队在RRAM器件结构方面创新成果突出，我校微电子研究中心则在片上系统芯片（SOC）、算法等方面经验丰富，该项目就是要依托各单位特色优势，研发出可靠、可重复利用的知识产权（IP）核，并通过摸索半导体工艺、应用各种算法、封装测试技术来提高稳定性、可靠性，从而把我国新型储存器RRAM技术推进到国际前沿水平。

　　微电子研究中心团队是我校第一个浙江省领军型创新团队，设计了我国第一颗固态硬盘（SSD）集成电路控制器芯片并成功产业化，获得浙江省科技进步一等奖。中心开创者、我国著名半导体专家邓先灿教授表示：“集成电路芯片是电子信息系统的心脏，存储器芯片好比数据的仓库，存储控制器芯片是仓库的看门人，我们正在努力打造‘中国芯’，实现‘把中国人的信息存放在中国人自己的硬盘中’的梦想。”（科学技术研究院  微电子研究中心）